К главной странице

Силовые транзисторы

Сравнительные характеристики единичных модулей.
ХарактеристикаПараметрIGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors)MOSFET (Metal-Oxid-Semiconductor-Field-Effect-Transistor)
Прямое падение напряженияUн=[600 - 1200 В][1,5-3,5 В]больше
Прямое падение напряженияUн <=200 Вбольше -
Время спада тока[0,2-1,5 мкс]меньше
Время рассасывания заряда[0,2-0,4 мкс]меньше
Схемы соединения IGBT модулей:
Схема модуляСерияНоминальные токиГабариты
Одно ключеваяМДТКИ25, 50 и 75 А ширина модуля 34 мм
Двух ключеваяМ2ТКИ100, 150 и 200 А ширина модуля 62
Прерывания токаМТКИД200, 320 и 400 А ширина модуля 62
М2ТКП - два последовательно соединенных ключа на полевых транзисторах с изолированным затвором с обратными быстро восстанавливающимися диодами рис.1. М2ТКИ - два последовательно соединенных ключа на биполярных транзисторах с изолированным затвором с обратными быстро восстанавливающимися диодами рис.2. МДТКИ - последовательно соединенные диод - биполярный транзистор с изолированным затвором с обратными быстро восстанавливающимися диодами рис.3. МТКИД - последовательно соединенные биполярный транзистор с изолированным затвором с обратным, быстро восстанавливающимся диодом - диод рис.4. МТКИ - биполярный транзистор с изолированным затвором с обратным, быстро восстанавливающимся диодом рис.5.
Дискретные приборы в корпусах ТО-220 и Т-247 ("Fullpak") изготовляются массово и имеют низкую стоимость в расчёте на один ампер номинального тока (максимальное значение рабочего тока 70 А). Сильноточные модули с электрической изоляцией, как правило, содержат ключи, соединённые по полумостовой ключевой схеме или с одноключевой конфигурацией. В этих модулях диапазон номинальных токов находится в диапазоне от 25 А (для полумостовой схемы с напряжением на 1200 В) до 600 А (для одноключевой схемы с напряжением 600 В). Ведущие производители силовых транзисторов